WB5050是使用微波等离子体发生器的远程冷等离子体刻蚀系统。手动设备适合于许多不同的应用，例如应力去除、特殊表面合理和晶圆减薄。该等离子系统的干法刻蚀作用是由下游腔室引导的活性等离子微粒（自由基）产生的纯化学反应。
WB5050微波等离子刻蚀机操作简便，易于手工装载和卸载。该工艺不需要任何额外的基体清洗。严格使用纯自由基进行表面处理。无电子和无离子工艺是成功处理NAND和DRAM等极端敏感的硅基体的关键因素。等离子体由位于工艺腔室顶部，距晶圆上方2.45 GHz的磁控管产生，可以处理所有尺寸的晶圆，包括8"和12" 的带框架的晶圆。
该等离子刻蚀设备适用于工艺开发和中试生产
>>产品特点：
> 极低的基板热负荷，专为SU-8灰化及硅蚀刻进行了优化（如MEMS应用）
> 可蚀刻或移除所有有机物质如SU-8，或其他环氧基物质
> 速度快
> 无有机残留物
> 纯化学蚀刻：无离子损伤，各向同性
> 无热冲击：仅依靠反应能量进行。对金属无损伤，如镍, 镍/铁, 金, 铜等
> 对硅及硅化合物仅有极轻微损伤，如SiO2 或 Si3N4
> 可进行高度比极大的蚀刻
> 可剥离超厚光刻胶层（大于1mm）
> 能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻
> 温度控制高达120℃
> 基板尺寸可达 460mm x 460mm
> 高蚀刻速率 在超大面积上超过200um/h(批量9x6”晶圆) 并与厚度无关
> 硬烘烤条件(HB)下蚀刻率与穿透性无关；
> 非HB及200℃ HB的蚀刻率差别小于10%
> 高度自动化，对每块基板可实现结束点检测
> 高度符合环保要求
>> 相关应用
- MEMS
- 半导体晶圆刻蚀
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